인듐은 여러 저융점 합금의 제조에 사용된다. 갈린스탄(Galinstan)은 68.5% 갈륨, 21.5% 인듐, 10% 주석으로 이루어진 합금인데, 녹는점이 -19oC로 낮아 의료용 온도계 등에 독성이 큰 수은(Hg)을 대체하여 사용되며, 컴퓨터 냉각제, 치아 보철 재료 등에서도 수은을 대체할 물질로 기대된다. 또 32.5% 비스무트, 51% 인듐, 16.5% 주석으로 이루어진 비스무트-인듐-주석의 공융 합금은 녹는점이 62oC로 낮고 유독한 납과 카드뮴이 들어있지 않아 우드합금(50% 비스무트, 26.7% 납, 13.3% 주석, 그리고 10% 카드뮴; 녹는점 70oC)의 대체품으로 요긴하게 사용된다. 인듐은 또한 땜납에 첨가되어 녹는점을 낮추거나, 강도를 증가시키거나, 쉽게 부서지는 것을 막는데도 사용된다.
인듐을 가끔 ‘금속 비타민’이라 부르는데, 이는 다른 금속이나 합금에 인듐을 소량 첨가하면 이들의 성질이 크게 변하기 때문이다. 예로, 금과 백금에 인듐을 소량 첨가하면 이들이 훨씬 단단하게 되는데, 이들 합금은 전자 장치와 치과 재료로 사용된다. 또 해수와 접촉하는 금속 구조물을 보호하기 위한 희생적 양극으로 사용되는 알루미늄의 부동태화(不動態化, passivation)를 방지하기 위해 아주 소량의 인듐이 첨가되기도 한다. 한편, 인듐은 열 중성자를 잘 포획하므로, 원자로 제어봉 합금제로 흔히 사용되는데, 웨스팅하우스 제어봉은 80% 은, 15% 인듐, 5% 카드뮴으로 이루어져 있다.
반도체 인듐은 p-형 반도체 첨가물(도판트, dopant)로 사용된다. 그리고 V족(15족) 원소인 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티모니(Sb), 비스무트(Bi)와의 이성분 화합물인 III-V족 화합물 반도체를 만들어 광전자공학에 유용하게 사용된다. 예로, In1-xGaxN와 In1-xGaxP 등은 발광다이오드(LED)와 다이오드 레이저에 사용되며, InSb와 InAs는 적외선 검출기에 널리 사용된다. 특히 InP는 실리콘 반도체나 GaAs 반도체에 비해 전자의 이동 속도가 빨라 고출력, 고주파수 전자 제품에 사용되고, 레이저 다이오드로 특히 유용하며, 에피텍시(epitaxy) 방법으로 만드는 GaAs 광-전자 디바이스의 기판으로도 사용된다. 그러나 전반적으로는 인듐보다는 갈륨이 III-V족 화합물 반도체에 보다 많이 사용된다. 기타 인듐 화합물 반도체들의 이용은 다음의 화합물 항에서 소개된다.
인듐은 셀렌화구리인듐 갈륨(Copper Indium Gallium Selenide, CIGS) 합성에도 사용되는데, CIGS는 I-III-VI2 형태의 반도체 물질로 화학식은 CuInxGa1-xSe2이다. 띠 간격은 x에 따라 달라지는데, x=1일 때는 1.0 eV, x=0일 때는 1.7eV이다. 박막 태양 전지에서 빛을 흡수하는 물질로 사용되는데, 빛 에너지 전환 효율이 약 20% (태양 전지 모듈 효율은 약 14%)로 현재 사용되는 박막 태양 전지 중에서 가장 높은 것 중 하나다. 독일에서 CIGS를 이용한 연 35 MW 용량의 태양전지 모듈이 상업적으로 생산되기 시작하였다. |